MTB30P06VT4

Číslo produktu výrobce:

MTB30P06VT4

Product Overview

Výrobce:

onsemi

Číslo dílu:

MTB30P06VT4-DG

Popis:

MOSFET P-CH 60V 30A D2PAK

Podrobný popis:

P-Channel 60 V 30A (Tc) 3W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount D2PAK

Inventář:

Poptejte online

12841030

Žádost o cenovou nabídku

Množství
Minimálně 1

SCzg

(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin

Odeslat

MTB30P06VT4 Technické specifikace

Kategorie

FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy

Výrobce

onsemi

Balení

-

Řada

-

Stav produktu

Obsolete

Typ FET

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)

60 V

Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C

30A (Tc)

Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)

10V

Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs

80mOhm @ 15A, 10V

vgs(th) (max.) @ id

4V @ 250µA

Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs

80 nC @ 10 V

VGS (Max)

±15V

Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds

2190 pF @ 25 V

Funkce FET

-

Ztrátový výkon (max.)

3W (Ta), 125W (Tc)

Provozní teplota

-55°C ~ 175°C (TJ)

Typ montáže

Surface Mount

Balíček zařízení dodavatele

D2PAK

Balení / pouzdro

TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Základní číslo výrobku

MTB30

Technický list a dokumenty

Katalogové listy

Technické listy

HTML Datový list

Další informace

Standardní balíček

800

Další jména

MTB30P06VT4OS

2156-MTB30P06VT4

ONSONSMTB30P06VT4

2156-MTB30P06VT4-ONTR-DG

Klasifikace životního prostředí a exportu

Stav RoHS

RoHS non-compliant

Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)

1 (Unlimited)

Stav nařízení REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Certifikace

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Související produkty

onsemi

FQPF3N80CYDTU

MOSFET N-CH 800V 3A TO220F-3

onsemi

NTB5412NT4G

MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK

onsemi

NVTFS5C466NLWFTAG

MOSFET N-CHANNEL 40V 51A 8WDFN

onsemi

NTB60N06LT4G

MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK