MTY100N10E
Číslo produktu výrobce:

MTY100N10E

Product Overview

Výrobce:

onsemi

Číslo dílu:

MTY100N10E-DG

Popis:

MOSFET N-CH 100V 100A TO264
Podrobný popis:
N-Channel 100 V 100A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-264

Inventář:

12839620
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat

MTY100N10E Technické specifikace

Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
-
Řada
-
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
100 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
100A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
11mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
378 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
10640 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
300W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
TO-264
Balení / pouzdro
TO-264-3, TO-264AA
Základní číslo výrobku
MTY10

Technický list a dokumenty

Katalogové listy

Další informace

Standardní balíček
25
Další jména
MTY100N10EOS

Klasifikace životního prostředí a exportu

Stav RoHS
RoHS non-compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternativní modely

ČÍSLO DÍLU
APT10M09LVFRG
VÝROBCE
Microchip Technology
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
0
DiGi ČÍSLO DÍLU
APT10M09LVFRG-DG
CENY ZA JEDNOTKU
21.66
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
IXTK170N10P
VÝROBCE
IXYS
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
0
DiGi ČÍSLO DÍLU
IXTK170N10P-DG
CENY ZA JEDNOTKU
7.91
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
onsemi

FDMC5614P

MOSFET P-CH 60V 5.7A/13.5A 8MLP

onsemi

FDPF20N50

MOSFET N-CH 500V 20A TO220F

onsemi

FQA65N20

MOSFET N-CH 200V 65A TO3PN

onsemi

FCH041N60F

MOSFET N-CH 600V 76A TO247-3