Číslo produktu výrobce:
MTY100N10E
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
MTY100N10E-DG
Popis:
MOSFET N-CH 100V 100A TO264
Podrobný popis:
N-Channel 100 V 100A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-264
Inventář:
12839620
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
MTY100N10E Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
-
Řada
-
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
100 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
100A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
11mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
378 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
10640 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
300W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
TO-264
Balení / pouzdro
TO-264-3, TO-264AA
Základní číslo výrobku
MTY10
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Další informace
Standardní balíček
25
Další jména
MTY100N10EOS
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
RoHS non-compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
APT10M09LVFRG
VÝROBCE
Microchip Technology
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
0
DiGi ČÍSLO DÍLU
APT10M09LVFRG-DG
CENY ZA JEDNOTKU
21.66
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
IXTK170N10P
VÝROBCE
IXYS
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
0
DiGi ČÍSLO DÍLU
IXTK170N10P-DG
CENY ZA JEDNOTKU
7.91
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
FDMC5614P
MOSFET P-CH 60V 5.7A/13.5A 8MLP
FDPF20N50
MOSFET N-CH 500V 20A TO220F
FQA65N20
MOSFET N-CH 200V 65A TO3PN
