Domů
Produkty
Výrobci
O DiGi
Kontaktujte nás
Blogy a příspěvky
Žádost o cenovou nabídku / Nabídka
Czech
Přihlásit se
Výběrový jazyk
Aktuální jazyk dle vašeho výběru:
Czech
Přepnout:
Angličtina
Evropa
Spojené království
Francie
Španělsko
Turecko
Moldavsko
Litva
Norsko
Německo
Portugalsko
Slovensko
LTALY
Finsko
Ruština
Bulharsko
Dánsko
Estonsko
Polsko
Ukrajina
Slovinsko
Čeština
Řečtina
Chorvatsko
Izrael
Srbsko
Bělorusko
Nizozemsko
Švédsko
Černá Hora
Baskičtina
Island
Bosna
Maďarština
Rumunsko
Rakousko
Belgie
Irsko
Asie / Tichomoří
Čína
Vietnam
Indonésie
Thajsko
Laos
Filipínština
Malajsie
Korea
Japonsko
Hongkong
Tchaj-wan
Singapur
Pákistán
Saúdská Arábie
Katar
Kuvajt
Kambodža
Myanmar
Afrika, Indie a Střední východ
Spojené arabské emiráty
Tádžikistán
Madagaskar
Indie
Írán
DR Kongo
Jihoafrická republika
Egypt
Keňa
Tanzanie
Ghana
Senegal
Maroko
Tunisko
Jižní Amerika / Oceánie
Nový Zéland
Angola
Brazílie
Mosambik
Peru
Kolumbie
Chile
Venezuela
Ekvádor
Bolívie
Uruguay
Argentina
Paraguay
Austrálie
Severní Amerika
Spojené státy americké
Haiti
Kanada
Kostarika
Mexiko
O DiGi
O nás
O nás
Naše certifikace
DiGi Úvod
Proč DiGi
Politika
Kvalitní politika
Podmínky použití
Soulad s RoHS
Proces vrácení
Zdroje
Kategorie produktů
Výrobci
Blogy a příspěvky
Služby
Záruční doba kvality
Způsob platby
Globální zásilka
Ceny za přepravu
Časté dotazy
Číslo produktu výrobce:
MTY100N10E
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
MTY100N10E-DG
Popis:
MOSFET N-CH 100V 100A TO264
Podrobný popis:
N-Channel 100 V 100A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-264
Inventář:
Poptejte online
12839620
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
*
Společnost
*
Jméno kontaktu
*
Telefon
*
E-mail
Dodací adresa
Zpráva
(
*
) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
MTY100N10E Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
-
Řada
-
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
100 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
100A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
11mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
378 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
10640 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
300W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
TO-264
Balení / pouzdro
TO-264-3, TO-264AA
Základní číslo výrobku
MTY10
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
MTY100N10E
Další informace
Standardní balíček
25
Další jména
MTY100N10EOS
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
RoHS non-compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
APT10M09LVFRG
VÝROBCE
Microchip Technology
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
0
DiGi ČÍSLO DÍLU
APT10M09LVFRG-DG
CENY ZA JEDNOTKU
21.66
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
IXTK170N10P
VÝROBCE
IXYS
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
0
DiGi ČÍSLO DÍLU
IXTK170N10P-DG
CENY ZA JEDNOTKU
7.91
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
FDMC5614P
MOSFET P-CH 60V 5.7A/13.5A 8MLP
FDPF20N50
MOSFET N-CH 500V 20A TO220F
FQA65N20
MOSFET N-CH 200V 65A TO3PN
FCH041N60F
MOSFET N-CH 600V 76A TO247-3