MUN5113DW1T1
Číslo produktu výrobce:

MUN5113DW1T1

Product Overview

Výrobce:

onsemi

Číslo dílu:

MUN5113DW1T1-DG

Popis:

TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
Podrobný popis:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 187mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363

Inventář:

7788 Ks Nový Originál Skladem
12936241
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat

MUN5113DW1T1 Technické specifikace

Kategorie
Bipolární (BJT), Bipolární tranzistorové pole, předbiasované
Výrobce
onsemi
Balení
Bulk
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ tranzistoru
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Proud - sběrač (Ic) (Max)
100mA
Napětí - Průraz kolektoru emitoru (Max)
50V
Rezistor - Báze (R1)
47kOhm
Rezistor - Báze emitoru (R2)
47kOhm
Zesílení DC Proudu (hFE) (Min) @ Ic, Vce
80 @ 5mA, 10V
Vce Sytost (Max) @ Ib, Ic
250mV @ 300µA, 10mA
Proud - Odpojení sběrače (Max)
500nA
Frekvence - přechod
-
Výkon - Max
187mW
Třída
Automotive
Kvalifikace
AEC-Q101
Typ montáže
Surface Mount
Balení / pouzdro
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Balíček zařízení dodavatele
SC-88/SC70-6/SOT-363

Technický list a dokumenty

Katalogové listy

Další informace

Standardní balíček
7,788
Další jména
ONSONSMUN5113DW1T1
2156-MUN5113DW1T1

Klasifikace životního prostředí a exportu

Stav RoHS
RoHS non-compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
renesas-electronics-america

HD1A3M(0)-T1-AZ

TRANSISTOR NPN SC62-3

nxp-semiconductors

PUMH13/ZL115

SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR

nxp-semiconductors

PUMB2/L135

SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR

nxp-semiconductors

PUMH2/HE115

SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR