Číslo produktu výrobce:
MUN5113DW1T1G
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
MUN5113DW1T1G-DG
Popis:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
Podrobný popis:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 187mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
Inventář:
11677 Ks Nový Originál Skladem
13209772
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
MUN5113DW1T1G Technické specifikace
Kategorie
Bipolární (BJT), Bipolární tranzistorové pole, předbiasované
Výrobce
onsemi
Balení
Tape & Reel (TR)
Výrobce
onsemi
Řada
-
Balení
Tape & Reel (TR)
Stav dílu
Active
Typ tranzistoru
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Proud - sběrač (Ic) (Max)
100mA
Napětí - Průraz kolektoru emitoru (Max)
50V
Rezistor - Báze (R1)
47kOhm
Rezistor - Báze emitoru (R2)
47kOhm
Zesílení DC Proudu (hFE) (Min) @ Ic, Vce
80 @ 5mA, 10V
Vce Sytost (Max) @ Ib, Ic
250mV @ 300µA, 10mA
Proud - Odpojení sběrače (Max)
500nA
Frekvence - přechod
-
Výkon - Max
187mW
Třída
-
Kvalifikace
-
Typ montáže
Surface Mount
Balení / pouzdro
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Balíček zařízení dodavatele
SC-88/SC70-6/SOT-363
Základní číslo výrobku
MUN5113
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Další informace
Standardní balíček
3,000
Další jména
MUN5113DW1T1GOSCT
488-MUN5113DW1T1GTR
488-MUN5113DW1T1GDKR
MUN5113DW1T1G-ND
MUN5113DW1T1GOSTR
488-MUN5113DW1T1GCT
MUN5113DW1T1GOSDKR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
PIMN32PAS-QX
PIMN32PAS-Q/SOT1118/HUSON6
PIMC31PAS-QX
PIMC31PAS-Q/SOT1118/HUSON6
PIMC32PAS-QX
PIMC32PAS-Q/SOT1118/HUSON6