Domů
Produkty
Výrobci
O DiGi
Kontaktujte nás
Blogy a příspěvky
Žádost o cenovou nabídku / Nabídka
Czech
Přihlásit se
Výběrový jazyk
Aktuální jazyk dle vašeho výběru:
Czech
Přepnout:
Angličtina
Evropa
Spojené království
Francie
Španělsko
Turecko
Moldavsko
Litva
Norsko
Německo
Portugalsko
Slovensko
LTALY
Finsko
Ruština
Bulharsko
Dánsko
Estonsko
Polsko
Ukrajina
Slovinsko
Čeština
Řečtina
Chorvatsko
Izrael
Srbsko
Bělorusko
Nizozemsko
Švédsko
Černá Hora
Baskičtina
Island
Bosna
Maďarština
Rumunsko
Rakousko
Belgie
Irsko
Asie / Tichomoří
Čína
Vietnam
Indonésie
Thajsko
Laos
Filipínština
Malajsie
Korea
Japonsko
Hongkong
Tchaj-wan
Singapur
Pákistán
Saúdská Arábie
Katar
Kuvajt
Kambodža
Myanmar
Afrika, Indie a Střední východ
Spojené arabské emiráty
Tádžikistán
Madagaskar
Indie
Írán
DR Kongo
Jihoafrická republika
Egypt
Keňa
Tanzanie
Ghana
Senegal
Maroko
Tunisko
Jižní Amerika / Oceánie
Nový Zéland
Angola
Brazílie
Mosambik
Peru
Kolumbie
Chile
Venezuela
Ekvádor
Bolívie
Uruguay
Argentina
Paraguay
Austrálie
Severní Amerika
Spojené státy americké
Haiti
Kanada
Kostarika
Mexiko
O DiGi
O nás
O nás
Naše certifikace
DiGi Úvod
Proč DiGi
Politika
Kvalitní politika
Podmínky použití
Soulad s RoHS
Proces vrácení
Zdroje
Kategorie produktů
Výrobci
Blogy a příspěvky
Služby
Záruční doba kvality
Způsob platby
Globální zásilka
Ceny za přepravu
Časté dotazy
Číslo produktu výrobce:
MUN5312DW1T2G
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
MUN5312DW1T2G-DG
Popis:
TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
Podrobný popis:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 385mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
Inventář:
8990 Ks Nový Originál Skladem
12847557
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
*
Společnost
*
Jméno kontaktu
*
Telefon
*
E-mail
Dodací adresa
Zpráva
(
*
) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
MUN5312DW1T2G Technické specifikace
Kategorie
Bipolární (BJT), Bipolární tranzistorové pole, předbiasované
Výrobce
onsemi
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ tranzistoru
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Proud - sběrač (Ic) (Max)
100mA
Napětí - Průraz kolektoru emitoru (Max)
50V
Rezistor - Báze (R1)
22kOhms
Rezistor - Báze emitoru (R2)
22kOhms
Zesílení DC Proudu (hFE) (Min) @ Ic, Vce
60 @ 5mA, 10V
Vce Sytost (Max) @ Ib, Ic
250mV @ 300µA, 10mA
Proud - Odpojení sběrače (Max)
500nA
Frekvence - přechod
-
Výkon - Max
385mW
Typ montáže
Surface Mount
Balení / pouzdro
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Balíček zařízení dodavatele
SC-88/SC70-6/SOT-363
Základní číslo výrobku
MUN5312
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
MUN5312DW1, NSBC124EPDxx
Technické listy
MUN5312DW1T2G
HTML Datový list
MUN5312DW1T2G-DG
Další informace
Standardní balíček
3,000
Další jména
2832-MUN5312DW1T2GTR
488-MUN5312DW1T2GTR
488-MUN5312DW1T2GDKR
MUN5312DW1T2G-DG
488-MUN5312DW1T2GCT
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
NSM46211DW6T1G
TRANS NPN PREBIAS/NPN SOT363
BCR185SH6327XTSA1
TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
NSM21156DW6T1G
TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT363
NSBC123EDXV6T1G
TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563