MUN5312DW1T2G
Číslo produktu výrobce:

MUN5312DW1T2G

Product Overview

Výrobce:

onsemi

Číslo dílu:

MUN5312DW1T2G-DG

Popis:

TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
Podrobný popis:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 385mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363

Inventář:

8990 Ks Nový Originál Skladem
12847557
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat

MUN5312DW1T2G Technické specifikace

Kategorie
Bipolární (BJT), Bipolární tranzistorové pole, předbiasované
Výrobce
onsemi
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ tranzistoru
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Proud - sběrač (Ic) (Max)
100mA
Napětí - Průraz kolektoru emitoru (Max)
50V
Rezistor - Báze (R1)
22kOhms
Rezistor - Báze emitoru (R2)
22kOhms
Zesílení DC Proudu (hFE) (Min) @ Ic, Vce
60 @ 5mA, 10V
Vce Sytost (Max) @ Ib, Ic
250mV @ 300µA, 10mA
Proud - Odpojení sběrače (Max)
500nA
Frekvence - přechod
-
Výkon - Max
385mW
Typ montáže
Surface Mount
Balení / pouzdro
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Balíček zařízení dodavatele
SC-88/SC70-6/SOT-363
Základní číslo výrobku
MUN5312

Technický list a dokumenty

Katalogové listy
Technické listy
HTML Datový list

Další informace

Standardní balíček
3,000
Další jména
2832-MUN5312DW1T2GTR
488-MUN5312DW1T2GTR
488-MUN5312DW1T2GDKR
MUN5312DW1T2G-DG
488-MUN5312DW1T2GCT

Klasifikace životního prostředí a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
onsemi

NSM46211DW6T1G

TRANS NPN PREBIAS/NPN SOT363

infineon-technologies

BCR185SH6327XTSA1

TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363

onsemi

NSM21156DW6T1G

TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT363

onsemi

NSBC123EDXV6T1G

TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563