Číslo produktu výrobce:
MVDF2C03HDR2G
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
MVDF2C03HDR2G-DG
Popis:
MOSFET N/P-CH 30V 4.1A/3A 8SOIC
Podrobný popis:
Mosfet Array 30V 4.1A, 3A 2W Surface Mount 8-SOIC
Inventář:
12840141
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
MVDF2C03HDR2G Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, FET, MOSFET pole
Výrobce
onsemi
Balení
-
Řada
-
Stav produktu
Obsolete
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurace
N and P-Channel Complementary
Funkce FET
Logic Level Gate
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
30V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
4.1A, 3A
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
70mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
16nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
630pF @ 24V
Výkon - Max
2W
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balení / pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Balíček zařízení dodavatele
8-SOIC
Základní číslo výrobku
MVDF2
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
2,500
Klasifikace životního prostředí a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
MCH6662-TL-W
MOSFET 2N-CH 20V 2A SC88FL
QJD1210SA2
SIC 2N-CH 1200V 100A MODULE
ECH8651R-TL-H
MOSFET 2N-CH 24V 10A 8ECH
