NDS352AP

Číslo produktu výrobce:

NDS352AP

Product Overview

Výrobce:

onsemi

Číslo dílu:

NDS352AP-DG

Popis:

MOSFET P-CH 30V 900MA SUPERSOT3

Podrobný popis:

P-Channel 30 V 900mA (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3

Inventář:

6204 Ks Nový Originál Skladem

12857896

Žádost o cenovou nabídku

Množství
Minimálně 1

(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin

Odeslat

NDS352AP Technické specifikace

Kategorie

FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy

Výrobce

onsemi

Balení

Tape & Reel (TR)

Řada

-

Stav produktu

Active

Typ FET

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)

30 V

Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C

900mA (Ta)

Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)

4.5V, 10V

Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs

300mOhm @ 1A, 10V

vgs(th) (max.) @ id

2.5V @ 250µA

Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs

3 nC @ 4.5 V

VGS (Max)

±20V

Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds

135 pF @ 15 V

Funkce FET

-

Ztrátový výkon (max.)

500mW (Ta)

Provozní teplota

-55°C ~ 150°C (TJ)

Typ montáže

Surface Mount

Balíček zařízení dodavatele

SOT-23-3

Balení / pouzdro

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Základní číslo výrobku

NDS352

Technický list a dokumenty

Katalogové listy

Technické listy

HTML Datový list

Další informace

Standardní balíček

3,000

Další jména

NDS352AP-DG

NDS352APTR-NDR

NDS352APCT-NDR

NDS352APDKR

NDS352APTR

NDS352APCT

Klasifikace životního prostředí a exportu

Stav RoHS

ROHS3 Compliant

Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)

1 (Unlimited)

Stav nařízení REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.21.0095

DIGI Certifikace

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Související produkty

renesas-electronics-america

RJK2006DPE-00#J3

MOSFET N-CH 200V 40A 4LDPAK

onsemi

NVJS4151PT1G

MOSFET P-CH 20V 3.2A SC88

onsemi

NTD20N06T4

MOSFET N-CH 60V 20A DPAK

onsemi

NTD5867NLT4G

MOSFET N-CH 60V 20A DPAK