NJVMJD112G
Číslo produktu výrobce:

NJVMJD112G

Product Overview

Výrobce:

onsemi

Číslo dílu:

NJVMJD112G-DG

Popis:

TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Podrobný popis:
Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100 V 2 A 25MHz 1.75 W Surface Mount DPAK

Inventář:

12840543
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat

NJVMJD112G Technické specifikace

Kategorie
Bipolární (BJT), Jednotlivé bipolární tranzistory
Výrobce
onsemi
Balení
Tube
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ tranzistoru
NPN - Darlington
Proud - sběrač (Ic) (Max)
2 A
Napětí - Průraz kolektoru emitoru (Max)
100 V
Vce Sytost (Max) @ Ib, Ic
3V @ 40mA, 4A
Proud - Odpojení sběrače (Max)
20µA
Zesílení DC Proudu (hFE) (Min) @ Ic, Vce
1000 @ 2A, 3V
Výkon - Max
1.75 W
Frekvence - přechod
25MHz
Provozní teplota
-65°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balení / pouzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Balíček zařízení dodavatele
DPAK
Základní číslo výrobku
NJVMJD112

Technický list a dokumenty

Katalogové listy
Technické listy
HTML Datový list

Další informace

Standardní balíček
75
Další jména
2832-NJVMJD112G

Klasifikace životního prostředí a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
onsemi

MJD117T4

TRANS DARL PNP 2A 100V DPAK

panasonic

2SD1938FTL

TRANS NPN 20V 0.3A MINI3

onsemi

MJD2955TF

TRANS PNP 60V 10A DPAK

panasonic

2SD11990S

TRANS NPN 40V 0.05A M TYPE