Číslo produktu výrobce:
NSBA114TDXV6T1
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
NSBA114TDXV6T1-DG
Popis:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
Podrobný popis:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-563
Inventář:
12843776
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
NSBA114TDXV6T1 Technické specifikace
Kategorie
Bipolární (BJT), Bipolární tranzistorové pole, předbiasované
Výrobce
onsemi
Balení
-
Řada
-
Stav produktu
Obsolete
Typ tranzistoru
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Proud - sběrač (Ic) (Max)
100mA
Napětí - Průraz kolektoru emitoru (Max)
50V
Rezistor - Báze (R1)
10kOhms
Rezistor - Báze emitoru (R2)
-
Zesílení DC Proudu (hFE) (Min) @ Ic, Vce
160 @ 5mA, 10V
Vce Sytost (Max) @ Ib, Ic
250mV @ 1mA, 10mA
Proud - Odpojení sběrače (Max)
500nA
Frekvence - přechod
-
Výkon - Max
500mW
Typ montáže
Surface Mount
Balení / pouzdro
SOT-563, SOT-666
Balíček zařízení dodavatele
SOT-563
Základní číslo výrobku
NSBA114
Další informace
Standardní balíček
4,000
Další jména
2156-NSBA114TDXV6T1-ONTR-DG
2156-NSBA114TDXV6T1
NSBA114TDXV6TOSTR
ONSONSNSBA114TDXV6T1
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
RoHS non-compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
EMB4T2R
VÝROBCE
Rohm Semiconductor
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
0
DiGi ČÍSLO DÍLU
EMB4T2R-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.07
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
DDA143TH-7
VÝROBCE
Diodes Incorporated
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
2850
DiGi ČÍSLO DÍLU
DDA143TH-7-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.06
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
RN2911FE(TE85L,F)
VÝROBCE
Toshiba Semiconductor and Storage
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
3975
DiGi ČÍSLO DÍLU
RN2911FE(TE85L,F)-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.04
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
DMA961010R
TRANS PREBIAS DUAL PNP SSMINI5
MUN5130DW1T1G
TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88
NSVMUN531335DW1T1G
TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V 6TSSOP
