Číslo produktu výrobce:
NTB082N65S3F
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
NTB082N65S3F-DG
Popis:
MOSFET N-CH 650V 40A D2PAK
Podrobný popis:
N-Channel 650 V 40A (Tc) 313W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventář:
12856836
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
NTB082N65S3F Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
SuperFET® III
Stav produktu
Not For New Designs
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
650 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
40A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
82mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 4mA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
81 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3410 pF @ 400 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
313W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
TO-263 (D2PAK)
Balení / pouzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základní číslo výrobku
NTB082
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
800
Další jména
NTB082N65S3F-DG
2156-NTB082N65S3F-488
NTB082N65S3FOSTR
NTB082N65S3FOSDKR
NTB082N65S3FOSCT
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
STB45N65M5
VÝROBCE
STMicroelectronics
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
301
DiGi ČÍSLO DÍLU
STB45N65M5-DG
CENY ZA JEDNOTKU
4.20
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
NVB082N65S3F
VÝROBCE
onsemi
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
0
DiGi ČÍSLO DÍLU
NVB082N65S3F-DG
CENY ZA JEDNOTKU
4.61
Druh náhrady
Parametric Equivalent
DIGI Certifikace
Související produkty
NTMFS4833NAT1G
MOSFET N-CH 30V 16A/191A 5DFN
NTMFS4C05NT3G
MOSFET N-CH 30V 11.9A 5DFN
NTMFS4925NT3G
MOSFET N-CH 30V 9.7A/48A 5DFN
