Číslo produktu výrobce:
NTB150N65S3HF
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
NTB150N65S3HF-DG
Popis:
MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK-3
Podrobný popis:
N-Channel 650 V 24A (Tc) 192W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventář:
12844095
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
NTB150N65S3HF Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
FRFET®, SuperFET® III
Stav produktu
Not For New Designs
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
650 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
24A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
150mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 540µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
43 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1985 pF @ 400 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
192W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
TO-263 (D2PAK)
Balení / pouzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základní číslo výrobku
NTB150
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
800
Další jména
NTB150N65S3HF-DG
488-NTB150N65S3HFCT
488-NTB150N65S3HFDKR
488-NTB150N65S3HFTR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
IXFA22N65X2
VÝROBCE
IXYS
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
250
DiGi ČÍSLO DÍLU
IXFA22N65X2-DG
CENY ZA JEDNOTKU
2.56
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
STB24N60M2
VÝROBCE
STMicroelectronics
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
0
DiGi ČÍSLO DÍLU
STB24N60M2-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.21
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
NDS355AN_G
MOSFET N-CH 30V 1.7A SUPERSOT3
NVMJS2D5N06CLTWG
MOSFET N-CH 60V 31A/164A 8LFPAK
NTMFS4707NT3G
MOSFET N-CH 30V 6.9A 5DFN
