Domů
Produkty
Výrobci
O DiGi
Kontaktujte nás
Blogy a příspěvky
Žádost o cenovou nabídku / Nabídka
Czech
Přihlásit se
Výběrový jazyk
Aktuální jazyk dle vašeho výběru:
Czech
Přepnout:
Angličtina
Evropa
Spojené království
Francie
Španělsko
Turecko
Moldavsko
Litva
Norsko
Německo
Portugalsko
Slovensko
LTALY
Finsko
Ruština
Bulharsko
Dánsko
Estonsko
Polsko
Ukrajina
Slovinsko
Čeština
Řečtina
Chorvatsko
Izrael
Srbsko
Bělorusko
Nizozemsko
Švédsko
Černá Hora
Baskičtina
Island
Bosna
Maďarština
Rumunsko
Rakousko
Belgie
Irsko
Asie / Tichomoří
Čína
Vietnam
Indonésie
Thajsko
Laos
Filipínština
Malajsie
Korea
Japonsko
Hongkong
Tchaj-wan
Singapur
Pákistán
Saúdská Arábie
Katar
Kuvajt
Kambodža
Myanmar
Afrika, Indie a Střední východ
Spojené arabské emiráty
Tádžikistán
Madagaskar
Indie
Írán
DR Kongo
Jihoafrická republika
Egypt
Keňa
Tanzanie
Ghana
Senegal
Maroko
Tunisko
Jižní Amerika / Oceánie
Nový Zéland
Angola
Brazílie
Mosambik
Peru
Kolumbie
Chile
Venezuela
Ekvádor
Bolívie
Uruguay
Argentina
Paraguay
Austrálie
Severní Amerika
Spojené státy americké
Haiti
Kanada
Kostarika
Mexiko
O DiGi
O nás
O nás
Naše certifikace
DiGi Úvod
Proč DiGi
Politika
Kvalitní politika
Podmínky použití
Soulad s RoHS
Proces vrácení
Zdroje
Kategorie produktů
Výrobci
Blogy a příspěvky
Služby
Záruční doba kvality
Způsob platby
Globální zásilka
Ceny za přepravu
Časté dotazy
Číslo produktu výrobce:
NTB25P06T4G
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
NTB25P06T4G-DG
Popis:
MOSFET P-CH 60V 27.5A D2PAK
Podrobný popis:
P-Channel 60 V 27.5A (Ta) 120W (Tj) Surface Mount D2PAK
Inventář:
Poptejte online
12844720
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
*
Společnost
*
Jméno kontaktu
*
Telefon
*
E-mail
Dodací adresa
Zpráva
(
*
) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
NTB25P06T4G Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ FET
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
60 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
27.5A (Ta)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
82mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
50 nC @ 10 V
VGS (Max)
±15V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1680 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
120W (Tj)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
D2PAK
Balení / pouzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základní číslo výrobku
NTB25
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
NTB25P06
Technické listy
NTB25P06T4G
HTML Datový list
NTB25P06T4G-DG
Další informace
Standardní balíček
800
Další jména
NTB25P06T4GOS
NTB25P06T4GOSTR
NTB25P06T4GOSCT
NTB25P06T4GOS-DG
ONSONSNTB25P06T4G
2156-NTB25P06T4G-OS
NTB25P06T4GOSDKR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
IRF5210STRLPBF
VÝROBCE
Infineon Technologies
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
7933
DiGi ČÍSLO DÍLU
IRF5210STRLPBF-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.26
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
RSJ250P10TL
VÝROBCE
Rohm Semiconductor
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
1434
DiGi ČÍSLO DÍLU
RSJ250P10TL-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.21
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
PCP1302-TD-H
MOSFET P-CH 60V 3A SOT89/PCP-1
AON2240
MOSFET N-CH 40V 8A 6DFN
NTMFS5C410NLT1G
MOSFET N-CH 40V 46A/302A 5DFN
BTS244Z E3043
MOSFET N-CH 55V 35A TO220-5-43