Číslo produktu výrobce:
NTB25P06T4G
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
NTB25P06T4G-DG
Popis:
MOSFET P-CH 60V 27.5A D2PAK
Podrobný popis:
P-Channel 60 V 27.5A (Ta) 120W (Tj) Surface Mount D2PAK
Inventář:
12844720
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
NTB25P06T4G Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ FET
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
60 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
27.5A (Ta)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
82mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
50 nC @ 10 V
VGS (Max)
±15V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1680 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
120W (Tj)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
D2PAK
Balení / pouzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základní číslo výrobku
NTB25
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
800
Další jména
NTB25P06T4GOS
NTB25P06T4GOSTR
NTB25P06T4GOSCT
NTB25P06T4GOS-DG
ONSONSNTB25P06T4G
2156-NTB25P06T4G-OS
NTB25P06T4GOSDKR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
IRF5210STRLPBF
VÝROBCE
Infineon Technologies
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
7933
DiGi ČÍSLO DÍLU
IRF5210STRLPBF-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.26
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
RSJ250P10TL
VÝROBCE
Rohm Semiconductor
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
1434
DiGi ČÍSLO DÍLU
RSJ250P10TL-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.21
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
PCP1302-TD-H
MOSFET P-CH 60V 3A SOT89/PCP-1
AON2240
MOSFET N-CH 40V 8A 6DFN
NTMFS5C410NLT1G
MOSFET N-CH 40V 46A/302A 5DFN
