Číslo produktu výrobce:
NTB5605P
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
NTB5605P-DG
Popis:
MOSFET P-CH 60V 18.5A D2PAK
Podrobný popis:
P-Channel 60 V 18.5A (Ta) 88W (Tc) Surface Mount D2PAK
Inventář:
12921914
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
NTB5605P Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
-
Řada
-
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
60 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
18.5A (Ta)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
5V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
140mOhm @ 8.5A, 5V
vgs(th) (max.) @ id
2V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
22 nC @ 5 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1190 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
88W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
D2PAK
Balení / pouzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základní číslo výrobku
NTB56
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
50
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
RoHS non-compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
SPB18P06PGATMA1
VÝROBCE
Infineon Technologies
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
2030
DiGi ČÍSLO DÍLU
SPB18P06PGATMA1-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.44
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
IRF5210STRLPBF
VÝROBCE
Infineon Technologies
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
7933
DiGi ČÍSLO DÍLU
IRF5210STRLPBF-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.26
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
RSJ250P10TL
VÝROBCE
Rohm Semiconductor
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
1434
DiGi ČÍSLO DÍLU
RSJ250P10TL-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.21
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
FQP27N25
MOSFET N-CH 250V 25.5A TO220-3
BSS138LT7G
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
FQA170N06
MOSFET N-CH 60V 170A TO3PN
