NTB90N02T4
Číslo produktu výrobce:

NTB90N02T4

Product Overview

Výrobce:

onsemi

Číslo dílu:

NTB90N02T4-DG

Popis:

MOSFET N-CH 24V 90A D2PAK
Podrobný popis:
N-Channel 24 V 90A (Ta) 85W (Tc) Surface Mount D2PAK

Inventář:

12918413
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat

NTB90N02T4 Technické specifikace

Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
-
Řada
-
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
24 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
90A (Ta)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
4.5V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
5.8mOhm @ 90A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
29 nC @ 4.5 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2120 pF @ 20 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
85W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
D2PAK
Balení / pouzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základní číslo výrobku
NTB90

Technický list a dokumenty

Katalogové listy
Technické listy
HTML Datový list

Další informace

Standardní balíček
800
Další jména
NTB90N02T4OSCT
2156-NTB90N02T4-ONTR
ONSONSNTB90N02T4
NTB90N02T4OSTR

Klasifikace životního prostředí a exportu

Stav RoHS
RoHS non-compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
vishay-siliconix

SI7322ADN-T1-GE3

MOSFET N-CH 100V 15.1A PPAK

vishay-siliconix

SI5441BDC-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 4.4A 1206-8

vishay-siliconix

SI3457BDV-T1-GE3

MOSFET P-CH 30V 3.7A 6TSOP

vishay-siliconix

SQD100N03-3M4_GE3

MOSFET N-CH 30V 100A TO252AA