Číslo produktu výrobce:
NTBGS002N06C
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
NTBGS002N06C-DG
Popis:
POWER MOSFET, 60 V, 2.2 M?, 211
Podrobný popis:
N-Channel 60 V 30A (Ta), 211A (Tc) 3.7W (Ta), 178W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventář:
12950503
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
NTBGS002N06C Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Last Time Buy
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
60 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
30A (Ta), 211A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V, 12V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
2.1mOhm @ 45A, 12V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 225µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
62.1 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
4620 pF @ 30 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
3.7W (Ta), 178W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
TO-263 (D2PAK)
Balení / pouzdro
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
800
Další jména
488-NTBGS002N06CDKR
488-NTBGS002N06CTR
488-NTBGS002N06CCT
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
NTH4LN095N65S3H
POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
NTMFS1D7N03CGT1G
MOSFET, POWER, 30V N-CHANNEL, SO
NTMFS005N10MCLT1G
SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 10