Číslo produktu výrobce:
NTBGS004N10G
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
NTBGS004N10G-DG
Popis:
POWER MOSFET 203 AMPS, 100 VOLTS
Podrobný popis:
N-Channel 100 V 21A (Ta), 203A (Tc) 3.7W (Ta), 340W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventář:
800 Ks Nový Originál Skladem
12964911
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
NTBGS004N10G Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
100 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
21A (Ta), 203A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
4.1mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 500µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
178 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
12100 pF @ 50 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
3.7W (Ta), 340W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
TO-263 (D2PAK)
Balení / pouzdro
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
800
Další jména
488-NTBGS004N10GCT
488-NTBGS004N10GTR
488-NTBGS004N10GDKR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
PJA3456E_R1_00001
SOT-23, MOSFET
PJA3441_R1_00001
SOT-23, MOSFET
TPH1R204PL1,LQ
UMOS9 SOP-ADV(N) PD=170W F=1MHZ
