Číslo produktu výrobce:
NTBGS1D5N06C
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
NTBGS1D5N06C-DG
Popis:
POWER MOSFET, 60 V, 1.62 M?, 267
Podrobný popis:
N-Channel 60 V 35A (Ta), 267A (Tc) 3.7W (Ta), 211W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventář:
300 Ks Nový Originál Skladem
12988626
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
NTBGS1D5N06C Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Last Time Buy
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
60 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
35A (Ta), 267A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V, 12V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
1.55mOhm @ 64A, 12V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 318µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
78.6 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
6250 pF @ 30 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
3.7W (Ta), 211W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
TO-263 (D2PAK)
Balení / pouzdro
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
800
Další jména
488-NTBGS1D5N06CCT
488-NTBGS1D5N06CTR
488-NTBGS1D5N06CDKR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
BSS84W RFG
-60, -0.14, SINGLE P-CHANNEL
TK12P50W,RQ
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
BSS123
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE