Domů
Produkty
Výrobci
O DiGi
Kontaktujte nás
Blogy a příspěvky
Žádost o cenovou nabídku / Nabídka
Czech
Přihlásit se
Výběrový jazyk
Aktuální jazyk dle vašeho výběru:
Czech
Přepnout:
Angličtina
Evropa
Spojené království
Francie
Španělsko
Turecko
Moldavsko
Litva
Norsko
Německo
Portugalsko
Slovensko
LTALY
Finsko
Ruština
Bulharsko
Dánsko
Estonsko
Polsko
Ukrajina
Slovinsko
Čeština
Řečtina
Chorvatsko
Izrael
Srbsko
Bělorusko
Nizozemsko
Švédsko
Černá Hora
Baskičtina
Island
Bosna
Maďarština
Rumunsko
Rakousko
Belgie
Irsko
Asie / Tichomoří
Čína
Vietnam
Indonésie
Thajsko
Laos
Filipínština
Malajsie
Korea
Japonsko
Hongkong
Tchaj-wan
Singapur
Pákistán
Saúdská Arábie
Katar
Kuvajt
Kambodža
Myanmar
Afrika, Indie a Střední východ
Spojené arabské emiráty
Tádžikistán
Madagaskar
Indie
Írán
DR Kongo
Jihoafrická republika
Egypt
Keňa
Tanzanie
Ghana
Senegal
Maroko
Tunisko
Jižní Amerika / Oceánie
Nový Zéland
Angola
Brazílie
Mosambik
Peru
Kolumbie
Chile
Venezuela
Ekvádor
Bolívie
Uruguay
Argentina
Paraguay
Austrálie
Severní Amerika
Spojené státy americké
Haiti
Kanada
Kostarika
Mexiko
O DiGi
O nás
O nás
Naše certifikace
DiGi Úvod
Proč DiGi
Politika
Kvalitní politika
Podmínky použití
Soulad s RoHS
Proces vrácení
Zdroje
Kategorie produktů
Výrobci
Blogy a příspěvky
Služby
Záruční doba kvality
Způsob platby
Globální zásilka
Ceny za přepravu
Časté dotazy
Číslo produktu výrobce:
NTBV5605T4G
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
NTBV5605T4G-DG
Popis:
MOSFET P-CH 60V 18.5A D2PAK
Podrobný popis:
P-Channel 60 V 18.5A (Ta) 88W (Tc) Surface Mount D2PAK
Inventář:
1 Ks Nový Originál Skladem
13209220
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
*
Společnost
*
Jméno kontaktu
*
Telefon
*
E-mail
Dodací adresa
Zpráva
(
*
) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
NTBV5605T4G Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ FET
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
60 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
18.5A (Ta)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
5V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
140mOhm @ 8.5A, 5V
vgs(th) (max.) @ id
2V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
22 nC @ 5 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1190 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
88W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
D2PAK
Balení / pouzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základní číslo výrobku
NTBV56
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
NTB5605(P)
Další informace
Standardní balíček
800
Další jména
488-NTBV5605T4GTR
NTBV5605T4G-ND
NTBV5605T4GOSDKR
NTBV5605T4GOSCT
NTBV5605T4GOSTR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
IRF9Z34STRRPBF
VÝROBCE
Vishay Siliconix
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
398
DiGi ČÍSLO DÍLU
IRF9Z34STRRPBF-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.20
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
IRF9Z34STRLPBF
VÝROBCE
Vishay Siliconix
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
5359
DiGi ČÍSLO DÍLU
IRF9Z34STRLPBF-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.79
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
IRF9Z34SPBF
VÝROBCE
Vishay Siliconix
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
1625
DiGi ČÍSLO DÍLU
IRF9Z34SPBF-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.76
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
NTMFS4941NT1G
MOSFET N-CH 30V 9A SO8FL
FDB2572
MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO263AB
FDMC8588DC
MOSFET N CH 25V 40A POWER33
NVMFS5844NLWFT1G
MOSFET N-CH 60V 61A SO8FL