Číslo produktu výrobce:
NTC080N120SC1
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
NTC080N120SC1-DG
Popis:
SIC MOS WAFER SALES 80MOHM 1200V
Podrobný popis:
N-Channel 1200 V 31A (Tc) 178W (Tc) Surface Mount Die
Inventář:
12973508
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
NTC080N120SC1 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
-
Řada
-
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
1200 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
31A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
20V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
110mOhm @ 20A, 20V
vgs(th) (max.) @ id
4.3V @ 5mA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
56 nC @ 20 V
VGS (Max)
+25V, -15V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1112 pF @ 800 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
178W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
Die
Balení / pouzdro
Die
Technický list a dokumenty
Technické listy
HTML Datový list
Další informace
Standardní balíček
1
Další jména
488-NTC080N120SC1
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
Not Applicable
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
NDP708AE
60A, 80V, 0.022OHM, N-CHANNEL MO
PJD9P06A_L2_00001
60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
PJD8NA50_R2_00001
500V N-CHANNEL MOSFET
