Číslo produktu výrobce:
NTD360N65S3H
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
NTD360N65S3H-DG
Popis:
POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Podrobný popis:
N-Channel 650 V 10A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)
Inventář:
3430 Ks Nový Originál Skladem
12964715
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
NTD360N65S3H Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
SuperFET® III
Stav produktu
Not For New Designs
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
650 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
10A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
360mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 700µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
17.5 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
916 pF @ 400 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
83W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
TO-252 (DPAK)
Balení / pouzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
2,500
Další jména
488-NTD360N65S3HDKR
488-NTD360N65S3HCT
488-NTD360N65S3HTR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
TSM70N380CP ROG
VÝROBCE
Taiwan Semiconductor Corporation
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
14899
DiGi ČÍSLO DÍLU
TSM70N380CP ROG-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.39
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
SIR5102DP-T1-RE3
N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
SI1405BDH-T1-GE3
MOSFET P-CH 8V 1.6A SC70-6
SIJH800E-T1-GE3
N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
