Číslo produktu výrobce:
NTD4806N-35G
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
NTD4806N-35G-DG
Popis:
MOSFET N-CH 30V 11.3A/79A IPAK
Podrobný popis:
N-Channel 30 V 11.3A (Ta), 79A (Tc) 1.4W (Ta), 68W (Tc) Through Hole I-Pak
Inventář:
12857683
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
NTD4806N-35G Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
-
Řada
-
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
30 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
11.3A (Ta), 79A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
4.5V, 11.5V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
6mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
23 nC @ 4.5 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2142 pF @ 12 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
1.4W (Ta), 68W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
I-PAK
Balení / pouzdro
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Základní číslo výrobku
NTD48
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
75
Další jména
ONSONSNTD4806N-35G
2156-NTD4806N-35G-ON
Klasifikace životního prostředí a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
NTP27N06
MOSFET N-CH 60V 27A TO220AB
NVD5C460NLT4G
MOSFET N-CH 40V 18A/73A DPAK
NTMS4935NR2G
MOSFET N-CH 30V 10A 8SOIC
