Domů
Produkty
Výrobci
O DiGi
Kontaktujte nás
Blogy a příspěvky
Žádost o cenovou nabídku / Nabídka
Czech
Přihlásit se
Výběrový jazyk
Aktuální jazyk dle vašeho výběru:
Czech
Přepnout:
Angličtina
Evropa
Spojené království
Francie
Španělsko
Turecko
Moldavsko
Litva
Norsko
Německo
Portugalsko
Slovensko
LTALY
Finsko
Ruština
Bulharsko
Dánsko
Estonsko
Polsko
Ukrajina
Slovinsko
Čeština
Řečtina
Chorvatsko
Izrael
Srbsko
Bělorusko
Nizozemsko
Švédsko
Černá Hora
Baskičtina
Island
Bosna
Maďarština
Rumunsko
Rakousko
Belgie
Irsko
Asie / Tichomoří
Čína
Vietnam
Indonésie
Thajsko
Laos
Filipínština
Malajsie
Korea
Japonsko
Hongkong
Tchaj-wan
Singapur
Pákistán
Saúdská Arábie
Katar
Kuvajt
Kambodža
Myanmar
Afrika, Indie a Střední východ
Spojené arabské emiráty
Tádžikistán
Madagaskar
Indie
Írán
DR Kongo
Jihoafrická republika
Egypt
Keňa
Tanzanie
Ghana
Senegal
Maroko
Tunisko
Jižní Amerika / Oceánie
Nový Zéland
Angola
Brazílie
Mosambik
Peru
Kolumbie
Chile
Venezuela
Ekvádor
Bolívie
Uruguay
Argentina
Paraguay
Austrálie
Severní Amerika
Spojené státy americké
Haiti
Kanada
Kostarika
Mexiko
O DiGi
O nás
O nás
Naše certifikace
DiGi Úvod
Proč DiGi
Politika
Kvalitní politika
Podmínky použití
Soulad s RoHS
Proces vrácení
Zdroje
Kategorie produktů
Výrobci
Blogy a příspěvky
Služby
Záruční doba kvality
Způsob platby
Globální zásilka
Ceny za přepravu
Časté dotazy
Číslo produktu výrobce:
NTD4960NT4G
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
NTD4960NT4G-DG
Popis:
MOSFET N-CH 30V 8.9A/55A DPAK
Podrobný popis:
N-Channel 30 V 8.9A (Ta), 55A (Tc) 1.07W (Ta), 35.71W (Tc) Surface Mount DPAK
Inventář:
Poptejte online
12848242
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
*
Společnost
*
Jméno kontaktu
*
Telefon
*
E-mail
Dodací adresa
Zpráva
(
*
) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
NTD4960NT4G Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
-
Řada
-
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
30 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
8.9A (Ta), 55A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
4.5V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
8mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
22 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1300 pF @ 15 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
1.07W (Ta), 35.71W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
DPAK
Balení / pouzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základní číslo výrobku
NTD49
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
NTD4960N
Technické listy
NTD4960NT4G
HTML Datový list
NTD4960NT4G-DG
Další informace
Standardní balíček
2,500
Další jména
NTD4960NT4GOSDKR
NTD4960NT4GOSCT
NTD4960NT4GOSTR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
IPD30N03S4L09ATMA1
VÝROBCE
Infineon Technologies
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
48073
DiGi ČÍSLO DÍLU
IPD30N03S4L09ATMA1-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.31
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
FDD6670A
VÝROBCE
onsemi
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
11312
DiGi ČÍSLO DÍLU
FDD6670A-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.42
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
NTD4965NT4G
VÝROBCE
onsemi
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
19
DiGi ČÍSLO DÍLU
NTD4965NT4G-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.48
Druh náhrady
Direct
DIGI Certifikace
Související produkty
RFP50N06
MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3
NTTFS4C65NTAG
MOSFET N-CH 30V 27A 8WDFN
FDD6612A
MOSFET N-CH 30V 9.5A/30A DPAK
FQU6N40CTU_NBEA001
MOSFET N-CH 400V 4.5A IPAK