NTD5806NT4G
Číslo produktu výrobce:

NTD5806NT4G

Product Overview

Výrobce:

onsemi

Číslo dílu:

NTD5806NT4G-DG

Popis:

MOSFET N-CH 40V 33A DPAK
Podrobný popis:
N-Channel 40 V 33A (Tc) 40W (Tc) Surface Mount DPAK

Inventář:

12848115
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat

NTD5806NT4G Technické specifikace

Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
-
Řada
-
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
40 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
33A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
4.5V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
19mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
38 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
860 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
40W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
DPAK
Balení / pouzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základní číslo výrobku
NTD58

Technický list a dokumenty

Katalogové listy
Technické listy
HTML Datový list

Další informace

Standardní balíček
2,500
Další jména
NTD5806NT4GOSTR
NTD5806NT4GOSCT
2156-NTD5806NT4G-ONTR
NTD5806NT4GOSDKR
ONSONSNTD5806NT4G

Klasifikace životního prostředí a exportu

Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternativní modely

ČÍSLO DÍLU
NTD5802NT4G
VÝROBCE
onsemi
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
14457
DiGi ČÍSLO DÍLU
NTD5802NT4G-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.64
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
onsemi

NTMFS5C673NLT3G

MOSFET N-CH 60V 5DFN

onsemi

FDN359AN

MOSFET N-CH 30V 2.7A SUPERSOT3

onsemi

FDMS8670S

MOSFET N-CH 30V 20A/42A 8PQFN

onsemi

FDD6630A

MOSFET N-CH 30V 21A TO252