NTD60N02RG
Číslo produktu výrobce:

NTD60N02RG

Product Overview

Výrobce:

onsemi

Číslo dílu:

NTD60N02RG-DG

Popis:

MOSFET N-CH 25V 8.5A/32A DPAK
Podrobný popis:
N-Channel 25 V 8.5A (Ta), 32A (Tc) 1.25W (Ta), 58W (Tc) Surface Mount DPAK

Inventář:

12859879
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat

NTD60N02RG Technické specifikace

Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
-
Řada
-
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
25 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
8.5A (Ta), 32A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
4.5V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
10.5mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
14 nC @ 4.5 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1330 pF @ 20 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
1.25W (Ta), 58W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
DPAK
Balení / pouzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základní číslo výrobku
NTD60

Technický list a dokumenty

Katalogové listy
Technické listy
HTML Datový list

Další informace

Standardní balíček
75

Klasifikace životního prostředí a exportu

Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternativní modely

ČÍSLO DÍLU
IRLR8259TRPBF
VÝROBCE
Infineon Technologies
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
1779
DiGi ČÍSLO DÍLU
IRLR8259TRPBF-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.32
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
onsemi

NTMYS1D2N04CLTWG

MOSFET N-CH 40V 44A/258A LFPAK4

onsemi

NTD3055-150-1G

MOSFET N-CH 60V 9A IPAK

renesas-electronics-america

NP180N04TUK-E1-AY

MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7

onsemi

NTD80N02

MOSFET N-CH 24V 80A DPAK