Číslo produktu výrobce:
NTD6416AN-1G
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
NTD6416AN-1G-DG
Popis:
MOSFET N-CH 100V 17A IPAK
Podrobný popis:
N-Channel 100 V 17A (Tc) 71W (Tc) Through Hole IPAK
Inventář:
12861470
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
NTD6416AN-1G Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
-
Řada
-
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
100 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
17A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
81mOhm @ 17A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
620 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
71W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
IPAK
Balení / pouzdro
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Základní číslo výrobku
NTD64
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
75
Další jména
2156-NTD6416AN-1G-ON
NTD6416AN-1G-DG
NTD6416AN-1GOS
ONSONSNTD6416AN-1G
Klasifikace životního prostředí a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
SK8403160L
MOSFET N-CH 30V 18A 8HSSO
UPA1912TE(0)-T1-AT
MOSFET P-CH 12V 4.5A SC95
NP109N04PUG-E1-AY
MOSFET N-CH 40V 110A TO263-3
