NTD80N02-001

Číslo produktu výrobce:

NTD80N02-001

Product Overview

Výrobce:

onsemi

Číslo dílu:

NTD80N02-001-DG

Popis:

MOSFET N-CH 24V 80A IPAK

Podrobný popis:

N-Channel 24 V 80A (Tc) 75W (Tc) Through Hole I-PAK

Inventář:

Poptejte online

12939624

Žádost o cenovou nabídku

Množství
Minimálně 1

(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin

Odeslat

NTD80N02-001 Technické specifikace

Kategorie

FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy

Výrobce

onsemi

Balení

-

Řada

-

Stav produktu

Obsolete

Typ FET

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)

24 V

Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C

80A (Tc)

Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)

4.5V, 10V

Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs

5.8mOhm @ 80A, 10V

vgs(th) (max.) @ id

3V @ 250µA

Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs

42 nC @ 4.5 V

VGS (Max)

±20V

Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds

2600 pF @ 20 V

Funkce FET

-

Ztrátový výkon (max.)

75W (Tc)

Provozní teplota

-55°C ~ 150°C (TJ)

Typ montáže

Through Hole

Balíček zařízení dodavatele

I-PAK

Balení / pouzdro

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Základní číslo výrobku

NTD80

Technický list a dokumenty

Katalogové listy

Technické listy

HTML Datový list

NTD80N02-001-DG

Další informace

Standardní balíček

75

Další jména

=NTD80N02=001

ONSONSNTD80N02-001

2156-NTD80N02-001-ON

NTD80N02-001OS

Klasifikace životního prostředí a exportu

Stav RoHS

RoHS non-compliant

Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)

1 (Unlimited)

Stav nařízení REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Certifikace

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Související produkty

toshiba-semiconductor-and-storage

TJ60S04M3L,LXHQ

MOSFET P-CH 40V 60A DPAK

IRF7805ZTRPBF-1

MOSFET N-CH 30V 16A 8SO

microchip-technology

APT34F60S/TR

MOSFET N-CH 600V 36A D3PAK

toshiba-semiconductor-and-storage

TJ80S04M3L,LXHQ

MOSFET P-CH 40V 80A DPAK