Číslo produktu výrobce:
NTE4151PT1G
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
NTE4151PT1G-DG
Popis:
MOSFET P-CH 20V 760MA SC89-3
Podrobný popis:
P-Channel 20 V 760mA (Tj) 313mW (Tj) Surface Mount SC-89-3
Inventář:
26703 Ks Nový Originál Skladem
12847099
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
NTE4151PT1G Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ FET
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
20 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
760mA (Tj)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
1.8V, 4.5V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
360mOhm @ 350mA, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1.2V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
2.1 nC @ 4.5 V
VGS (Max)
±6V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
156 pF @ 5 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
313mW (Tj)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
SC-89-3
Balení / pouzdro
SC-89, SOT-490
Základní číslo výrobku
NTE4151
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
3,000
Další jména
2156-NTE4151PT1G-OS
ONSONSNTE4151PT1G
NTE4151PT1GOSCT
NTE4151PT1GOSDKR
NTE4151PT1GOSTR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
NTTFS4C65NTWG
MOSFET N-CH 30V 27A 8WDFN
FDMS4D0N12C
MOSFET N-CH 120V 18.5A/114A 8QFN
HUFA75339S3ST
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
