Číslo produktu výrobce:
NTGS3433T1G
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
NTGS3433T1G-DG
Popis:
MOSFET P-CH 12V 2.35A 6TSOP
Podrobný popis:
P-Channel 12 V 2.35A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount 6-TSOP
Inventář:
12847167
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
NTGS3433T1G Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
-
Řada
-
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
12 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
2.35A (Ta)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
2.5V, 4.5V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
75mOhm @ 3.3A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1.5V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
15 nC @ 4.5 V
VGS (Max)
±8V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
550 pF @ 5 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
500mW (Ta)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
6-TSOP
Balení / pouzdro
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Základní číslo výrobku
NTGS3433
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
3,000
Další jména
NTGS3433T1GOSCT
NTGS3433T1GOS
NTGS3433T1GOSTR
NTGS3433T1GOSDKR
2156-NTGS3433T1G-OS
ONSONSNTGS3433T1G
NTGS3433T1GOS-DG
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
RAQ045P01TCR
VÝROBCE
Rohm Semiconductor
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
7835
DiGi ČÍSLO DÍLU
RAQ045P01TCR-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.12
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
DMP2033UVT-7
VÝROBCE
Diodes Incorporated
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
0
DiGi ČÍSLO DÍLU
DMP2033UVT-7-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.11
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
FDS6609A
MOSFET P-CH 30V 6.3A 8SOIC
FDP036N10A
MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
CPH6350-P-TL-E
MOSFET P-CH 30V 6A CPH6
