NTGS4111PT1G
Číslo produktu výrobce:

NTGS4111PT1G

Product Overview

Výrobce:

onsemi

Číslo dílu:

NTGS4111PT1G-DG

Popis:

MOSFET P-CH 30V 2.6A 6TSOP
Podrobný popis:
P-Channel 30 V 2.6A (Ta) 630mW (Ta) Surface Mount 6-TSOP

Inventář:

36278 Ks Nový Originál Skladem
12842211
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat

NTGS4111PT1G Technické specifikace

Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ FET
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
30 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
2.6A (Ta)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
4.5V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
60mOhm @ 3.7A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
32 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
750 pF @ 15 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
630mW (Ta)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
6-TSOP
Balení / pouzdro
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Základní číslo výrobku
NTGS4111

Technický list a dokumenty

Katalogové listy
Technické listy
HTML Datový list

Další informace

Standardní balíček
3,000
Další jména
2156-NTGS4111PT1G-OS
NTGS4111PT1GOSCT
ONSONSNTGS4111PT1G
NTGS4111PT1GOSDKR
NTGS4111PT1GOSTR

Klasifikace životního prostředí a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
onsemi

NTMSD3P102R2

MOSFET P-CH 20V 2.34A 8SOIC

infineon-technologies

BSC882N03MSGATMA1

MOSFET N-CH 34V 22A/100A TDSON

onsemi

NTD4906N-35G

MOSFET N-CH 30V 10.3A/54A IPAK

onsemi

SFT1443-TL-W

MOSFET N-CH 100V 9A DPAK/TP-FA