NTH4L027N65S3F
Číslo produktu výrobce:

NTH4L027N65S3F

Product Overview

Výrobce:

onsemi

Číslo dílu:

NTH4L027N65S3F-DG

Popis:

MOSFET N-CH 650V 75A TO247-4
Podrobný popis:
N-Channel 650 V 75A (Tc) 595W (Tc) Through Hole TO-247-4L

Inventář:

12930490
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat

NTH4L027N65S3F Technické specifikace

Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
Tube
Řada
FRFET®, SuperFET® III
Stav produktu
Not For New Designs
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
650 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
75A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
27.4mOhm @ 35A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 3mA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
259 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
7690 pF @ 400 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
595W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
TO-247-4L
Balení / pouzdro
TO-247-4
Základní číslo výrobku
NTH4L027

Technický list a dokumenty

Katalogové listy
Technické listy
HTML Datový list

Další informace

Standardní balíček
450

Klasifikace životního prostředí a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
Not Applicable
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
alpha-and-omega-semiconductor

AOTF42S60L

MOSFET N-CH 600V 39A TO220-3F

alpha-and-omega-semiconductor

AON6160

MOSFET N-CHANNEL 60V 100A 8DFN

onsemi

FQPF9N50CT

MOSFET N-CH 500V 9A TO220F

alpha-and-omega-semiconductor

AO4266E

MOSFET N-CHANNEL 60V 11A 8SO