Číslo produktu výrobce:
NTHD3102CT1G
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
NTHD3102CT1G-DG
Popis:
MOSFET N/P-CH 20V 4A CHIPFET
Podrobný popis:
Mosfet Array 20V 4A, 3.1A 1.1W Surface Mount ChipFET™
Inventář:
5 Ks Nový Originál Skladem
12841200
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
NTHD3102CT1G Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, FET, MOSFET pole
Výrobce
onsemi
Balení
Cut Tape (CT)
Řada
-
Stav produktu
Obsolete
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurace
N and P-Channel
Funkce FET
Logic Level Gate
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
20V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
4A, 3.1A
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
45mOhm @ 4.4A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1.2V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
7.9nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
510pF @ 10V
Výkon - Max
1.1W
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balení / pouzdro
8-SMD, Flat Lead
Balíček zařízení dodavatele
ChipFET™
Základní číslo výrobku
NTHD3102
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
3,000
Další jména
=NTHD3102CT1GOSCT-DG
NTHD3102CT1GOSDKR
NTHD3102CT1GOSTR
NTHD3102CT1G-DG
NTHD3102CT1GOSCT
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
NTHD3100CT1G
VÝROBCE
onsemi
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
5410
DiGi ČÍSLO DÍLU
NTHD3100CT1G-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.34
Druh náhrady
MFR Recommended
DIGI Certifikace
Související produkty
MMDF2C03HDR2
MOSFET N/P-CH 30V 4.1A/3A 8SOIC
NTMFD4C20NT1G
MOSFET 2N-CH 30V 9.1A/13.7A 8DFN
NTJD4105CT2
MOSFET N/P-CH 20V/8V 0.63A SC88
