Číslo produktu výrobce:
NTHD4P02FT1G
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
NTHD4P02FT1G-DG
Popis:
MOSFET P-CH 20V 2.2A CHIPFET
Podrobný popis:
P-Channel 20 V 2.2A (Tj) 1.1W (Tj) Surface Mount ChipFET™
Inventář:
2892 Ks Nový Originál Skladem
12847770
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
NTHD4P02FT1G Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
Cut Tape (CT)
Řada
-
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
20 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
2.2A (Tj)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
2.5V, 4.5V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
155mOhm @ 2.2A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1.2V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
6 nC @ 4.5 V
VGS (Max)
±12V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
300 pF @ 10 V
Funkce FET
Schottky Diode (Isolated)
Ztrátový výkon (max.)
1.1W (Tj)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
ChipFET™
Balení / pouzdro
8-SMD, Flat Lead
Základní číslo výrobku
NTHD4
Další informace
Standardní balíček
3,000
Další jména
NTHD4P02FT1GOSCT
2156-NTHD4P02FT1G-OS
NTHD4P02FT1GOSDKR
=NTHD4P02FT1GOSCT-DG
ONSONSNTHD4P02FT1G
NTHD4P02FT1GOSTR
NTHD4P02FT1G-DG
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
AON4703
VÝROBCE
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
0
DiGi ČÍSLO DÍLU
AON4703-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.16
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
FDMS5360L-F085
MOSFET N-CH 60V 60A POWER56
FDI3632
MOSFET N-CH 100V 12A/80A I2PAK
FDP090N10
MOSFET N-CH 100V 75A TO220-3