NTHL022N120M3S
Číslo produktu výrobce:

NTHL022N120M3S

Product Overview

Výrobce:

onsemi

Číslo dílu:

NTHL022N120M3S-DG

Popis:

SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET ELI
Podrobný popis:
N-Channel 1200 V 68A (Tc) 352W (Tc) Through Hole TO-247-3

Inventář:

187 Ks Nový Originál Skladem
13376046
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
num_del num_add
*
*
*
*
2Ik4
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat

NTHL022N120M3S Technické specifikace

Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
Tube
Řada
-
Balení
Tube
Stav dílu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
1200 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
68A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
18V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
30mOhm @ 40A, 18V
vgs(th) (max.) @ id
4.4V @ 20mA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
139 nC @ 18 V
VGS (Max)
+22V, -10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3130 pF @ 800 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
352W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
TO-247-3
Balení / pouzdro
TO-247-3

Technický list a dokumenty

Katalogové listy

Další informace

Standardní balíček
450
Další jména
488-NTHL022N120M3S-ND
5556-NTHL022N120M3S
488-NTHL022N120M3S

Klasifikace životního prostředí a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
Not Applicable
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
diodes

DMN52D0U-13

MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT23 T&R

diodes

DMTH45M5SFVW-7

MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI333

diodes

DMP31D7LWQ-7

MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT323 T&R

diodes

DMP4026LSSQ-13

MOSFET BVDSS: 31V~40V SO-8 T&R 2