Číslo produktu výrobce:
NTHS4101PT1G
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
NTHS4101PT1G-DG
Popis:
MOSFET P-CH 20V 4.8A CHIPFET
Podrobný popis:
P-Channel 20 V 4.8A (Tj) 1.3W (Ta) Surface Mount ChipFET™
Inventář:
8830 Ks Nový Originál Skladem
12860393
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
NTHS4101PT1G Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ FET
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
20 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
4.8A (Tj)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
1.8V, 4.5V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
34mOhm @ 4.8A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1.5V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
35 nC @ 4.5 V
VGS (Max)
±8V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2100 pF @ 16 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
1.3W (Ta)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
ChipFET™
Balení / pouzdro
8-SMD, Flat Lead
Základní číslo výrobku
NTHS4101
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
3,000
Další jména
NTHS4101PT1GOSTR
NTHS4101PT1GOSCT
NTHS4101PT1GOSDKR
NTHS4101PT1GOS
NTHS4101PT1GOS-DG
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
NP70N10KUF-E1-AY
MOSFET N-CH 100V 70A TO263
NTGS3443T2G
MOSFET P-CH 20V 2.2A 6TSOP
IRFL4105PBF
MOSFET N-CH 55V 3.7A SOT223
