Číslo produktu výrobce:
NTJD2152PT1G
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
NTJD2152PT1G-DG
Popis:
MOSFET 2P-CH 8V 0.775A SC88
Podrobný popis:
Mosfet Array 8V 775mA 270mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
Inventář:
12857181
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
NTJD2152PT1G Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, FET, MOSFET pole
Výrobce
onsemi
Balení
-
Řada
-
Stav produktu
Obsolete
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurace
2 P-Channel (Dual)
Funkce FET
Logic Level Gate
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
8V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
775mA
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
300mOhm @ 570mA, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
4nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
225pF @ 8V
Výkon - Max
270mW
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balení / pouzdro
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Balíček zařízení dodavatele
SC-88/SC70-6/SOT-363
Základní číslo výrobku
NTJD21
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
3,000
Další jména
2156-NTJD2152PT1G-ONTR
NTJD2152PT1GOSTR
NTJD2152PT1GOSCT
NTJD2152PT1GOS-DG
NTJD2152PT1GOS
ONSONSNTJD2152PT1G
NTJD2152PT1GOSDKR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
VEC2415-TL-EX
MOSFET 2N-CH 60V 3A VEC8
NVMFD5852NLT1G
MOSFET 2N-CH 40V 15A 8DFN
KGF16N05D-400
MOSFET 2N-CH 5.5V 16A 20WLCSP
