Číslo produktu výrobce:
NTJD4105CT1G
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
NTJD4105CT1G-DG
Popis:
MOSFET N/P-CH 20V/8V 0.63A SC88
Podrobný popis:
Mosfet Array 20V, 8V 630mA, 775mA 270mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
Inventář:
22900 Ks Nový Originál Skladem
12840950
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
NTJD4105CT1G Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, FET, MOSFET pole
Výrobce
onsemi
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurace
N and P-Channel
Funkce FET
Logic Level Gate
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
20V, 8V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
630mA, 775mA
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
375mOhm @ 630mA, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1.5V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
3nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
46pF @ 20V
Výkon - Max
270mW
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balení / pouzdro
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Balíček zařízení dodavatele
SC-88/SC70-6/SOT-363
Základní číslo výrobku
NTJD4105
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
3,000
Další jména
NTJD4105CT1GOS
NTJD4105CT1GOSTR
NTJD4105CT1GOSDKR
ONSONSNTJD4105CT1G
NTJD4105CT1GOSCT
NTJD4105CT1GOS-DG
2156-NTJD4105CT1G-OS
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
BSO615CT
MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8DSO
QJD1210SB1
SIC 1200V 10A MOD
NTHD2102PT1G
MOSFET 2P-CH 8V 3.4A CHIPFET