Číslo produktu výrobce:
NTJS3151PT1G
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
NTJS3151PT1G-DG
Popis:
MOSFET P-CH 12V 2.7A SC88/SC70-6
Podrobný popis:
P-Channel 12 V 2.7A (Ta) 625mW (Ta) Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
Inventář:
10336 Ks Nový Originál Skladem
12842567
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
NTJS3151PT1G Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ FET
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
12 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
2.7A (Ta)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
1.8V, 4.5V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
60mOhm @ 3.3A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1.2V @ 100µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
8.6 nC @ 4.5 V
VGS (Max)
±12V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
850 pF @ 12 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
625mW (Ta)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
SC-88/SC70-6/SOT-363
Balení / pouzdro
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Základní číslo výrobku
NTJS3151
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
3,000
Další jména
NTJS3151PT1GOSDKR
NTJS3151PT1GOSTR
2156-NTJS3151PT1G-488
NTJS3151PT1GOSCT
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
NVMFS5C646NLWFAFT3G
MOSFET N-CH 60V 20A/93A 5DFN
NTMTS0D7N06CTXG
MOSFET N-CH 60V 60.5A/464A 8DFNW
NTHS5404T1G
MOSFET N-CH 20V 5.2A CHIPFET