Číslo produktu výrobce:
NTMD4N03R2G
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
NTMD4N03R2G-DG
Popis:
MOSFET 2N-CH 30V 4A 8SOIC
Podrobný popis:
Mosfet Array 30V 4A 2W Surface Mount 8-SOIC
Inventář:
31663 Ks Nový Originál Skladem
12859759
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
NTMD4N03R2G Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, FET, MOSFET pole
Výrobce
onsemi
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurace
2 N-Channel (Dual)
Funkce FET
Logic Level Gate
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
30V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
4A
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
60mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
16nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
400pF @ 20V
Výkon - Max
2W
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balení / pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Balíček zařízení dodavatele
8-SOIC
Základní číslo výrobku
NTMD4
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
2,500
Další jména
NTMD4N03R2GOS
NTMD4N03R2GOSTR
ONSONSNTMD4N03R2G
NTMD4N03R2GOSDKR
=NTMD4N03R2GOSCT-DG
NTMD4N03R2GOS-DG
NTMD4N03R2GOSCT
2156-NTMD4N03R2G-OS
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
NVMFD5489NLWFT1G
MOSFET 2N-CH 60V 4.5A 8DFN
NTMD2C02R2
MOSFET N/P-CH 20V 5.2A 8SOIC
NTTD1P02R2
MOSFET 2P-CH 20V 1.45A 8MSOP
