Číslo produktu výrobce:
NTMFS6H818NT1G
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
NTMFS6H818NT1G-DG
Popis:
MOSFET N-CH 80V 20A/123A 5DFN
Podrobný popis:
N-Channel 80 V 20A (Ta), 123A (Tc) 3.8W (Ta), 136W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Inventář:
1500 Ks Nový Originál Skladem
12938937
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
NTMFS6H818NT1G Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
80 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
20A (Ta), 123A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
6V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
3.7mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 190µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
46 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3100 pF @ 40 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
3.8W (Ta), 136W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Balení / pouzdro
8-PowerTDFN, 5 Leads
Základní číslo výrobku
NTMFS6
Technický list a dokumenty
Technické listy
HTML Datový list
Další informace
Standardní balíček
1,500
Další jména
NTMFS6H818NT1GOSDKR
NTMFS6H818NT1GOSTR
NTMFS6H818NT1G-DG
NTMFS6H818NT1GOSCT
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
NTMFS4926NET1G
MOSFET N-CH 30V 9A/44A 5DFN
NTMFS5H600NLT1G
MOSFET N-CH 60V 35A/250A 5DFN
NTLJS4114NT1G
MOSFET N-CH 30V 3.6A 6WDFN
