Číslo produktu výrobce:
NTMS4101PR2
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
NTMS4101PR2-DG
Popis:
MOSFET P-CH 20V 6.9A 8SOIC
Podrobný popis:
P-Channel 20 V 6.9A (Ta) 1.38W (Tj) Surface Mount 8-SOIC
Inventář:
12857569
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
NTMS4101PR2 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
-
Řada
-
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
20 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
6.9A (Ta)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
2.5V, 4.5V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
19mOhm @ 6.9A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
450mV @ 250µA (Min)
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
32 nC @ 4.5 V
VGS (Max)
±8V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3200 pF @ 10 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
1.38W (Tj)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
8-SOIC
Balení / pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Základní číslo výrobku
NTMS41
Technický list a dokumenty
Technické listy
HTML Datový list
Další informace
Standardní balíček
2,500
Další jména
NTMS4101PR2OS
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
RoHS non-compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
NDS356AP
MOSFET P-CH 30V 1.1A SUPERSOT3
NTA7002NT1G
MOSFET N-CH 30V 154MA SC75
NVD6414ANT4G
MOSFET N-CH 100V 34A DPAK
