Číslo produktu výrobce:
NTMS4177PR2G
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
NTMS4177PR2G-DG
Popis:
MOSFET P-CH 30V 6.6A 8SOIC
Podrobný popis:
P-Channel 30 V 6.6A (Ta) 840mW (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Inventář:
6988 Ks Nový Originál Skladem
12848627
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
NTMS4177PR2G Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ FET
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
30 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
6.6A (Ta)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
4.5V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
12mOhm @ 11.4A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
55 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3100 pF @ 24 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
840mW (Ta)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
8-SOIC
Balení / pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Základní číslo výrobku
NTMS41
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
2,500
Další jména
NTMS4177PR2GDKR
NTMS4177PR2GCT
NTMS4177PR2G-DG
Q7458880ZZ
NTMS4177PR2GTR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
AON7412
MOSFET N-CH 30V 10A/16A 8DFN
AON2400
MOSFET N-CH 8V 8A 6DFN
NVMFS5C670NLT3G
MOSFET N-CH 60V 17A/71A 5DFN
