NTMS4700NR2G

Číslo produktu výrobce:

NTMS4700NR2G

Product Overview

Výrobce:

onsemi

Číslo dílu:

NTMS4700NR2G-DG

Popis:

MOSFET N-CH 30V 8.6A 8SOIC

Podrobný popis:

N-Channel 30 V 8.6A (Ta) 860mW (Ta) Surface Mount 8-SOIC

Inventář:

Poptejte online

12857765

Žádost o cenovou nabídku

Množství
Minimálně 1

(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin

Odeslat

NTMS4700NR2G Technické specifikace

Kategorie

FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy

Výrobce

onsemi

Balení

-

Řada

-

Stav produktu

Obsolete

Typ FET

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)

30 V

Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C

8.6A (Ta)

Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)

4.5V, 10V

Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs

7.2mOhm @ 13A, 10V

vgs(th) (max.) @ id

3V @ 250µA

Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs

24 nC @ 4.5 V

VGS (Max)

±20V

Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds

1600 pF @ 24 V

Funkce FET

-

Ztrátový výkon (max.)

860mW (Ta)

Provozní teplota

-55°C ~ 150°C (TJ)

Typ montáže

Surface Mount

Balíček zařízení dodavatele

8-SOIC

Balení / pouzdro

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Základní číslo výrobku

NTMS47

Technický list a dokumenty

Technické listy

HTML Datový list

NTMS4700NR2G-DG

Další informace

Standardní balíček

2,500

Další jména

NTMS4700NR2GOS

ONSONSNTMS4700NR2G

2156-NTMS4700NR2G

2156-NTMS4700NR2G-ONTR-DG

Klasifikace životního prostředí a exportu

Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)

1 (Unlimited)

Stav nařízení REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.21.0095

DIGI Certifikace

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Související produkty

onsemi

NDS9407_G

MOSFET P-CH 60V 3A 8SOIC

onsemi

NVD5117PLT4G-VF01

MOSFET P-CH 60V 11A/61A DPAK

onsemi

NTD5865NL-1G

MOSFET N-CH 60V 46A IPAK

onsemi

NTMFD4C50NT1G

MOSFET N-CH 30V 12A 8DFN DL