Číslo produktu výrobce:
NTMSD6N303R2
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
NTMSD6N303R2-DG
Popis:
MOSFET N-CH 30V 6A 8SOIC
Podrobný popis:
N-Channel 30 V 6A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Inventář:
12840046
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
NTMSD6N303R2 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
-
Řada
FETKY™
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
30 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
6A (Ta)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
4.5V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
32mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
30 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
950 pF @ 24 V
Funkce FET
Schottky Diode (Isolated)
Ztrátový výkon (max.)
2W (Ta)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
8-SOIC
Balení / pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Základní číslo výrobku
NTMSD6
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
2,500
Další jména
2156-NTMSD6N303R2-ONTR-DG
ONSONSNTMSD6N303R2
NTMSD6N303R2OS
2156-NTMSD6N303R2
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
RoHS non-compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
DIGI Certifikace
Související produkty
FCP20N60_G
MOSFET N-CH 600V 20A TO220-3
FDMS86202ET120
MOSFET N-CH 120V 13.5/102A PWR56
FQA36P15
MOSFET P-CH 150V 36A TO3PN
