Číslo produktu výrobce:
NTP082N65S3F
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
NTP082N65S3F-DG
Popis:
MOSFET N-CH 650V 40A TO220-3
Podrobný popis:
N-Channel 650 V 40A (Tc) 313W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventář:
12860107
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
iHpH
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
NTP082N65S3F Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
Tube
Řada
FRFET®, SuperFET® II
Stav produktu
Not For New Designs
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
650 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
40A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
82mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 4mA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
81 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3410 pF @ 400 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
313W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
TO-220-3
Balení / pouzdro
TO-220-3
Základní číslo výrobku
NTP082
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
50
Další jména
NTP082N65S3FOS
NTP082N65S3F-DG
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
Not Applicable
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
IXTP34N65X2
VÝROBCE
IXYS
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
152
DiGi ČÍSLO DÍLU
IXTP34N65X2-DG
CENY ZA JEDNOTKU
3.26
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
NVHL082N65S3F
VÝROBCE
onsemi
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
0
DiGi ČÍSLO DÍLU
NVHL082N65S3F-DG
CENY ZA JEDNOTKU
4.59
Druh náhrady
Parametric Equivalent
DIGI Certifikace
Související produkty
NP100P04PLG-E1-AY
MOSFET P-CH 40V 100A TO263
NP60N055VUK-E1-AY
MOSFET N-CH 55V 60A TO252-3
RJK0391DPA-00#J5A
MOSFET N-CH 30V 50A 8WPAK
