Domů
Produkty
Výrobci
O DiGi
Kontaktujte nás
Blogy a příspěvky
Žádost o cenovou nabídku / Nabídka
Czech
Přihlásit se
Výběrový jazyk
Aktuální jazyk dle vašeho výběru:
Czech
Přepnout:
Angličtina
Evropa
Spojené království
Francie
Španělsko
Turecko
Moldavsko
Litva
Norsko
Německo
Portugalsko
Slovensko
LTALY
Finsko
Ruština
Bulharsko
Dánsko
Estonsko
Polsko
Ukrajina
Slovinsko
Čeština
Řečtina
Chorvatsko
Izrael
Srbsko
Bělorusko
Nizozemsko
Švédsko
Černá Hora
Baskičtina
Island
Bosna
Maďarština
Rumunsko
Rakousko
Belgie
Irsko
Asie / Tichomoří
Čína
Vietnam
Indonésie
Thajsko
Laos
Filipínština
Malajsie
Korea
Japonsko
Hongkong
Tchaj-wan
Singapur
Pákistán
Saúdská Arábie
Katar
Kuvajt
Kambodža
Myanmar
Afrika, Indie a Střední východ
Spojené arabské emiráty
Tádžikistán
Madagaskar
Indie
Írán
DR Kongo
Jihoafrická republika
Egypt
Keňa
Tanzanie
Ghana
Senegal
Maroko
Tunisko
Jižní Amerika / Oceánie
Nový Zéland
Angola
Brazílie
Mosambik
Peru
Kolumbie
Chile
Venezuela
Ekvádor
Bolívie
Uruguay
Argentina
Paraguay
Austrálie
Severní Amerika
Spojené státy americké
Haiti
Kanada
Kostarika
Mexiko
O DiGi
O nás
O nás
Naše certifikace
DiGi Úvod
Proč DiGi
Politika
Kvalitní politika
Podmínky použití
Soulad s RoHS
Proces vrácení
Zdroje
Kategorie produktů
Výrobci
Blogy a příspěvky
Služby
Záruční doba kvality
Způsob platby
Globální zásilka
Ceny za přepravu
Časté dotazy
Číslo produktu výrobce:
NTP082N65S3F
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
NTP082N65S3F-DG
Popis:
MOSFET N-CH 650V 40A TO220-3
Podrobný popis:
N-Channel 650 V 40A (Tc) 313W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventář:
Poptejte online
12860107
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
*
Společnost
*
Jméno kontaktu
*
Telefon
*
E-mail
Dodací adresa
Zpráva
(
*
) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
NTP082N65S3F Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
Tube
Řada
FRFET®, SuperFET® II
Stav produktu
Not For New Designs
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
650 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
40A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
82mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 4mA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
81 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3410 pF @ 400 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
313W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
TO-220-3
Balení / pouzdro
TO-220-3
Základní číslo výrobku
NTP082
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
NTP082N65S3F
Technické listy
NTP082N65S3F
HTML Datový list
NTP082N65S3F-DG
Další informace
Standardní balíček
50
Další jména
NTP082N65S3FOS
NTP082N65S3F-DG
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
Not Applicable
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
IXTP34N65X2
VÝROBCE
IXYS
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
152
DiGi ČÍSLO DÍLU
IXTP34N65X2-DG
CENY ZA JEDNOTKU
3.26
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
NVHL082N65S3F
VÝROBCE
onsemi
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
0
DiGi ČÍSLO DÍLU
NVHL082N65S3F-DG
CENY ZA JEDNOTKU
4.59
Druh náhrady
Parametric Equivalent
DIGI Certifikace
Související produkty
NP100P04PLG-E1-AY
MOSFET P-CH 40V 100A TO263
NP60N055VUK-E1-AY
MOSFET N-CH 55V 60A TO252-3
RJK0391DPA-00#J5A
MOSFET N-CH 30V 50A 8WPAK
NTGS3136PT1G
MOSFET P-CH 20V 3.7A 6TSOP