Číslo produktu výrobce:
NTP6412ANG
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
NTP6412ANG-DG
Popis:
MOSFET N-CH 100V 58A TO220AB
Podrobný popis:
N-Channel 100 V 58A (Tc) 167W (Tc) Through Hole TO-220
Inventář:
114 Ks Nový Originál Skladem
12938885
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
NTP6412ANG Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
Tube
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
100 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
58A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
18.2mOhm @ 58A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
100 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3500 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
167W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
TO-220
Balení / pouzdro
TO-220-3
Základní číslo výrobku
NTP6412
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
50
Další jména
NTP6412ANGOS
ONSONSNTP6412ANG
2156-NTP6412ANG-OS
NTP6412ANG-DG
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
Not Applicable
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
NTMFS4C028NT3G
MOSFET N-CH 30V 16.4A/52A 5DFN
UPA1803GR-9JG-E1-A
MOSFET N-CH 30V 8-TSSOP
SSVD5804NT4G
MOSFET N-CH 40V 69A DPAK