Číslo produktu výrobce:
NTPF360N65S3H
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
NTPF360N65S3H-DG
Popis:
POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Podrobný popis:
N-Channel 650 V 10A (Tj) 26W (Tc) Through Hole TO-220FP
Inventář:
12964868
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
NTPF360N65S3H Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
-
Řada
SuperFET® III
Stav produktu
Not For New Designs
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
650 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
10A (Tj)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
360mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 700µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
17.5 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
916 pF @ 400 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
26W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
TO-220FP
Balení / pouzdro
TO-220-3 Full Pack
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
50
Další jména
488-NTPF360N65S3HDKR-DG
488-NTPF360N65S3HTR
488-NTPF360N65S3H
488-NTPF360N65S3HDKR
488-NTPF360N65S3HCT
488-NTPF360N65S3HCT-DG
488-NTPF360N65S3HCTINACTIVE
488-NTPF360N65S3HTR-DG
488-NTPF360N65S3HDKRINACTIVE
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
Not Applicable
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
SIHA11N80E-GE3
VÝROBCE
Vishay Siliconix
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
1334
DiGi ČÍSLO DÍLU
SIHA11N80E-GE3-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.45
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
PJA3449_R1_00001
SOT-23, MOSFET
SQJQ160E-T1_GE3
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
SIHF9520S-GE3
MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK