Číslo produktu výrobce:
NTR1P02T1G
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
NTR1P02T1G-DG
Popis:
MOSFET P-CH 20V 1A SOT23-3
Podrobný popis:
P-Channel 20 V 1A (Ta) 400mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Inventář:
66279 Ks Nový Originál Skladem
12859547
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
NTR1P02T1G Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ FET
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
20 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
1A (Ta)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
4.5V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
180mOhm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.3V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
2.5 nC @ 5 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
165 pF @ 5 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
400mW (Ta)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
SOT-23-3 (TO-236)
Balení / pouzdro
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Základní číslo výrobku
NTR1P02
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
3,000
Další jména
NTR1P02T1GOSTR
NTR1P02T1GOSCT
NTR1P02T1GOSDKR
2156-NTR1P02T1G-OS
NTR1P02T1GOS
NTR1P02T1GOS-DG
ONSONSNTR1P02T1G
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
NTMFS4C029NT1G
MOSFET N-CH 30V 15A/46A 5DFN
NTD4815N-1G
MOSFET N-CH 30V 6.9A/35A IPAK
NVB6411ANT4G
MOSFET N-CH 100V 77A D2PAK-3
