NTR4101PT1G
Číslo produktu výrobce:

NTR4101PT1G

Product Overview

Výrobce:

onsemi

Číslo dílu:

NTR4101PT1G-DG

Popis:

MOSFET P-CH 20V 1.8A SOT23-3
Podrobný popis:
P-Channel 20 V 1.8A (Ta) 420mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)

Inventář:

88248 Ks Nový Originál Skladem
12928283
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat

NTR4101PT1G Technické specifikace

Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ FET
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
20 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
1.8A (Ta)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
1.8V, 4.5V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
85mOhm @ 1.6A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1.2V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
8.5 nC @ 4.5 V
VGS (Max)
±8V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
675 pF @ 10 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
420mW (Ta)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
SOT-23-3 (TO-236)
Balení / pouzdro
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Základní číslo výrobku
NTR4101

Technický list a dokumenty

Katalogové listy
Technické listy
HTML Datový list

Další informace

Standardní balíček
3,000
Další jména
2156-NTR4101PT1G-OS
NTR4101PT1GOSTR
2832-NTR4101PT1GTR
NTR4101PT1GOSDKR
ONSONSNTR4101PT1G
NTR4101PT1GOSCT

Klasifikace životního prostředí a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
microsemi

JAN2N7236

MOSFET P-CH 100V 18A TO254AA

microsemi

JAN2N6798U

MOSFET N-CH 200V 5.5A 18ULCC

microsemi

JANTXV2N6790U

MOSFET N-CH 200V 2.8A 18ULCC

toshiba-semiconductor-and-storage

TPH2R408QM,L1Q

MOSFET N-CH 80V 120A 8SOP