Číslo produktu výrobce:
NTTS2P03R2
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
NTTS2P03R2-DG
Popis:
MOSFET P-CH 30V 2.1A MICRO8
Podrobný popis:
P-Channel 30 V 2.1A (Ta) 600mW (Ta) Surface Mount 8-MSOP
Inventář:
12842345
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
NTTS2P03R2 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
-
Řada
-
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
30 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
2.1A (Ta)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
4.5V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
85mOhm @ 2.48A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
22 nC @ 4.5 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
500 pF @ 24 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
600mW (Ta)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
8-MSOP
Balení / pouzdro
8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Základní číslo výrobku
NTTS2P
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
4,000
Další jména
NTTS2P03R2OS
2156-NTTS2P03R2-ONTR
ONSONSNTTS2P03R2
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
RoHS non-compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
IRF7606TRPBF
VÝROBCE
Infineon Technologies
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
8585
DiGi ČÍSLO DÍLU
IRF7606TRPBF-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.23
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
ZXM64P03XTA
VÝROBCE
Diodes Incorporated
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
1959
DiGi ČÍSLO DÍLU
ZXM64P03XTA-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.55
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
NTD60N02RT4G
MOSFET N-CH 25V 8.5A/32A DPAK
NTLGF3501NT2G
MOSFET N-CH 20V 2.8A 6DFN
NTTFS5116PLTAG
MOSFET P-CH 60V 5.7A 8WDFN
