Domů
Produkty
Výrobci
O DiGi
Kontaktujte nás
Blogy a příspěvky
Žádost o cenovou nabídku / Nabídka
Czech
Přihlásit se
Výběrový jazyk
Aktuální jazyk dle vašeho výběru:
Czech
Přepnout:
Angličtina
Evropa
Spojené království
DR Kongo
Argentina
Turecko
Rumunsko
Litva
Norsko
Rakousko
Angola
Slovensko
LTALY
Finsko
Bělorusko
Bulharsko
Dánsko
Estonsko
Polsko
Ukrajina
Slovinsko
Čeština
Řečtina
Chorvatsko
Izrael
Černá Hora
Ruština
Belgie
Švédsko
Srbsko
Baskičtina
Island
Bosna
Maďarština
Moldavsko
Německo
Nizozemsko
Irsko
Asie / Tichomoří
Čína
Vietnam
Indonésie
Thajsko
Laos
Filipínština
Malajsie
Korea
Japonsko
Hongkong
Tchaj-wan
Singapur
Pákistán
Saúdská Arábie
Katar
Kuvajt
Kambodža
Myanmar
Afrika, Indie a Střední východ
Spojené arabské emiráty
Tádžikistán
Madagaskar
Indie
Írán
Francie
Jihoafrická republika
Egypt
Keňa
Tanzanie
Ghana
Senegal
Maroko
Tunisko
Jižní Amerika / Oceánie
Nový Zéland
Portugalsko
Brazílie
Mosambik
Peru
Kolumbie
Chile
Venezuela
Ekvádor
Bolívie
Uruguay
Španělsko
Paraguay
Austrálie
Severní Amerika
Spojené státy americké
Haiti
Kanada
Kostarika
Mexiko
O DiGi
O nás
O nás
Naše certifikace
DiGi Úvod
Proč DiGi
Politika
Kvalitní politika
Podmínky použití
Soulad s RoHS
Proces vrácení
Zdroje
Kategorie produktů
Výrobci
Blogy a příspěvky
Služby
Záruční doba kvality
Způsob platby
Globální zásilka
Ceny za přepravu
Časté dotazy
Číslo produktu výrobce:
NTZD3152PT1G
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
NTZD3152PT1G-DG
Popis:
MOSFET 2P-CH 20V 430MA SOT563
Podrobný popis:
Mosfet Array 20V 430mA 250mW Surface Mount SOT-563
Inventář:
72095 Ks Nový Originál Skladem
12856972
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
*
Společnost
*
Jméno kontaktu
*
Telefon
*
E-mail
Dodací adresa
Zpráva
(
*
) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
NTZD3152PT1G Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, FET, MOSFET pole
Výrobce
onsemi
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurace
2 P-Channel (Dual)
Funkce FET
-
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
20V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
430mA
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
900mOhm @ 430mA, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
2.5nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
175pF @ 16V
Výkon - Max
250mW
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balení / pouzdro
SOT-563, SOT-666
Balíček zařízení dodavatele
SOT-563
Základní číslo výrobku
NTZD3152
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
NTZD3152P
Technické listy
NTZD3152PT1G
HTML Datový list
NTZD3152PT1G-DG
Další informace
Standardní balíček
4,000
Další jména
NTZD3152PT1GOSTR
ONSONSNTZD3152PT1G
NTZD3152PT1GOSDKR
2156-NTZD3152PT1G-OS
2832-NTZD3152PT1G
NTZD3152PT1GOSCT
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
VEC2415-TL-E
MOSFET 2N-CH 60V 3A SOT28
NVMFD6H840NLWFT1G
MOSFET 2N-CH 80V 14A/74A 8DFN
UPA1890GR-9JG-E1-A
MOSFET N/P-CH 30V 6A/5A 8SOP
NVMFD5C466NWFT1G
MOSFET 2N-CH 40V 14A/49A 8DFN